Die Lehrveranstaltung wird auf Deutsch gehalten
Lernziel:
Verständnis der Zusammenhänge zwischen dem strukturellen Aufbau der Leistungshalbleiter-Bauelemente und ihren Betriebseigenschaften. Darauf aufbauend soll der Einfluss der zu schaltenden Last, der Ansteuerung und der Beschaltung auf das Betriebsverhalten der Leistungshalbleiter an Beispielen verdeutlicht werden.
Stoffplan:
- Wiederholung der Grundlagen der Halbleitertechnik
- p-s-n-Übergang
- Raumladungszone und Sperrverhalten; Sperrschichtkapazität
- Durchlassverhalten; Trägerspeichereffekt bei bipolaren Bauelementen
- Durchlassverhalten; Trägerspeichereffekt bei bipolaren Bauelementen; Zusammenhänge zwischen den geometrischen Parametern und den elektrischen Grenzdaten
- Dynamische Vorgänge beim Ein- und Abschalten
- Bipolartransistor
- Thyristor
- Aufbau von modernen MOSFETs und IGBTs
- Ansteuerung und Schaltverhalten von MOSFETs, IGBTs und IGCTs
- Integrierte Treiberschaltungen
Die Übung wird. z.T. von praktischen Experimenten begleitet.
Ihr Dozent für dieses Modul
Dr.-Ing. Roman Baburske
Entwicklungsingenieur bei der Infineon Technologies AG
Dr.-Ing. Roman Baburske
Entwicklungsingenieur bei der Infineon Technologies AG
